RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3273
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link