RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
43
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.9
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
3732
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link