RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
43
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
27
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
3337
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link