RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
43
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
30
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
3636
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link