RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
51
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
30
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3551
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link