RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
43
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
3663
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link