RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
43
Wokół strony -95% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
22
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
3297
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link