RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
9.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
43
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
37
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
9.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
1949
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link