RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
122
Wokół strony 65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
9.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
5.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
122
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
9.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
5.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
1411
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Smart Modular SH564568FH8NZPHSCR 2GB
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link