RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
122
Около 65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.9
9.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
5.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
122
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
9.4
Скорость записи, Гб/сек
9.6
5.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
1411
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology C 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link