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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
122
左右 65% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
5.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
122
读取速度,GB/s
14.9
9.4
写入速度,GB/s
9.6
5.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
1411
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
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