RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
85
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
11.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
6.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
85
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
1118
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link