RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
59
Wokół strony -90% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3273
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Inmos + 256MB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link