RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
65
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
65
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2041
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link