RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
59
65
Por volta de 9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
2,123.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
65
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
8.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
2041
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link