RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
59
Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3085
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link