RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
59
Wokół strony -127% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3983
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link