RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
59
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2765
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link