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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
59
Por volta de -69% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.9
2,123.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
35
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
9.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
2765
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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