RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
59
Wokół strony -247% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
17
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
20.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3623
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link