RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
59
Wokół strony -146% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2719
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB Porównanie pamięci RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link