RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
59
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2081
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link