RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
59
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2588
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link