RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
22.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
59
Wokół strony -119% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
22.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3861
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link