RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
59
Wokół strony -119% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3899
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link