RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
59
Wokół strony -119% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3899
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kllisre D4 8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link