RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
59
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2737
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link