RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
59
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
43
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2571
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link