RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
59
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.3
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
54
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
1904
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link