Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB

Pontuação geral
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Pontuação geral
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    54 left arrow 59
    Por volta de -9% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    9.3 left arrow 4
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    7.3 left arrow 2,123.3
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 6400
    Por volta de 2.66 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    59 left arrow 54
  • Velocidade de leitura, GB/s
    4,833.8 left arrow 9.3
  • Velocidade de escrita, GB/s
    2,123.3 left arrow 7.3
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    731 left arrow 1904
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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