RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
54
59
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.3
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.3
2,123.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
54
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
9.3
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
1904
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link