RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
59
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2395
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link