RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
59
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2841
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link