RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
59
Wokół strony -127% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2594
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link