RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
10.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
59
Около -127% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
26
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
13.7
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2594
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link