RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
59
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
10.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2349
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link