RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3460
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Corsair CM3B8G2A1333L9 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link