RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3460
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link