RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
27
Por volta de 11% menor latência
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
27
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
14.6
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3460
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kllisre 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link