RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
59
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
40
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2959
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation M424016 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link