RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
69
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2883
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link