RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
69
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3596
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link