RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
69
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2400
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link