RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
69
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2382
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link