RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
58
Wokół strony -190% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
20
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
3708
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU5-GN-F 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Transcend Information TS256MLQ64V8U 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link