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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
58
左右 -190% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.3
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
20
读取速度,GB/s
4,241.0
20.3
写入速度,GB/s
1,950.7
16.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3708
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
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