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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
20.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
58
Por volta de -190% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.3
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
20
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
20.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
16.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
3708
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
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