RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
58
60
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
60
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
2129
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link