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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
58
60
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
17.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.8
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
60
读取速度,GB/s
4,241.0
17.3
写入速度,GB/s
1,950.7
8.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
2129
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
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