RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
58
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
3592
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link