RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
58
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
3592
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link