RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
58
Wokół strony -87% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
2236
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link